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硅光電探測(cè)器

產(chǎn)品型號(hào)：DSi系列
產(chǎn)品時(shí)間：2024-05-19
簡(jiǎn)要描述：DSi系列硅光電探測(cè)器高靈敏型硅、紫外增強(qiáng)型，使用范圍：200~1100nm；

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產(chǎn)品介紹

DSi系列硅光電探測(cè)器的詳細(xì)介紹

■ DSi200/DSi300硅光電探測(cè)器的規(guī)格參數(shù)：

（Si）
———室溫型探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：200-1100nm
兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：
◆ DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏
◆ DSi300型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)低暗電流
◆ 推薦配合I-V放大器（型號(hào)：ZAMP）使用
兩種型號(hào)的光譜響應(yīng)度曲線圖：（右）

DSi系列的型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：

技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱	DSi200 紫敏硅探測(cè)器	DSi300 硅探測(cè)器
	進(jìn)口紫外增強(qiáng)型	國(guó)產(chǎn)低暗電流型
有效接收面積（mm2）	100（Φ11.28）	100（10×10）
波長(zhǎng)范圍（nm）	200-1100	300-1100
峰值波長(zhǎng)（nm）	-------	800±20
峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度（A/W）	0.52	>0.4
254nm的響應(yīng)度（A/W）	0.14（>0.09）	-------
響應(yīng)時(shí)間（μs）	5.9	-------
工作溫度范圍（℃）	-10～ 60	-------
儲(chǔ)存溫度范圍（℃）	-20～ 70	-------
分流電阻RSH（MΩ）	10（>5）	-------
等效噪聲功率NEP （W/√Hz）	4.5×10-13	-------
暗電流（25℃；-1V）	-------	1X10-8—5×10-11 A
結(jié)電容（pf）	4500	<3000（-10V）
信號(hào)輸出模式	電流	電流
輸出信號(hào)性	正（P）	正（P）

DSi系列的的使用建議：
◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。

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